2SA1294 Si-P 230V 15A 130W

Tüüp: Parameeter

Tehase teostusaeg: 24 nädalat

Paigaldustüüp: läbiva auguga

Pakend / ümbris: TO-3P-3, SC-65-3

Pinnakinnitus: EI

Nõelte arv: 3

Transistori elemendi materjal: Räni

Töötemperatuur: 150°C TJ

Pakend: hulgi

Avaldatud: 1999

Pbfree kood: jah

Osa olek: aktiivne

Niiskuse tundlikkuse tase (MSL): 1 (piiramatu)

Lõpetamiste arv: 3

ECCN kood: EAR99

Alamkategooria: muud transistorid

Elementide arv: 1

Konfiguratsioon: SINGLE

Võimsus - Max: 130W

Transistori rakendus: AMPLIFIER

Polaarsus/kanali tüüp: PNP

Transistori tüüp: PNP

Alalisvoolu võimendus (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5A 4V

Vool – kollektori katkestus (max): 100 μA ICBO

Vce küllastus (maksimaalne) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A

Pinge – kollektori emitteri rike (max): 230 V

Vool – kollektor (Ic) (max): 15A

Üleminekusagedus: 35 MHz

Sagedus – üleminek: 35MHz

RoHS-i olek: RoHS-iga ühilduv