Изображение товара на сайте может отличаться от фактического изображения товара.
LTH209-01 оптопара отражательного типа
Код товара: LTH209-01
- 1.60 €
-
- Цена для постоянного клиента 1.52 € -5%
- Залогиньтесь и получите 5% скидку
Pealadu
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
19 шт.
Peterburi tee Oomipood
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 шт.
Järve keskuse Oomipood
Tallinn, Pärnu mnt. 238
Tallinn, Pärnu mnt. 238
4 шт.
Lõunakeskuse Oomipood
Tartu, Lääneringtee 39
Tartu, Lääneringtee 39
0 шт.
Põhjakeskuse Oomipood
Rakvere, Haljala tee 4
Rakvere, Haljala tee 4
0 шт.
Kaubamajaka Oomipood
Pärnu, Papiniidu 8
Pärnu, Papiniidu 8
0 шт.
Откройте для себя надежный отражательный оптопара LTH-209-01, разработанный для точного обнаружения объектов с бесконтактной коммутацией и быстрым временем отклика. Это компактное устройство является отличным решением для различных задач зондирования.
Общая информация
LTH-209-01 объединяет инфракрасный светодиод и кремниевый NPN фототранзистор. Эти компоненты стратегически расположены бок о бок со сходящимися оптическими осями и надежно заключены в прочный черный пластиковый корпус.
Ключевые особенности
- Бесконтактная коммутация
- Подходит для прямой установки на печатную плату или в двухрядную розетку
- Высокая скорость переключения
- Отражательный датчик объекта
Приложения
LTH-209-01 специально разработан для надежного обнаружения объектов.
Дополнительные сведения
Для целей тестирования используется отражающая поверхность из нейтральной белой бумаги Eastman Kodak (или эквивалентной), обеспечивающая 90% рассеянное отражение и расположенная на расстоянии 3,81 мм (0,15 дюйма) от считывающей головки.
Все размеры указаны в миллиметрах (дюймах).
Допуск составляет ±0,25 мм (0,010 дюйма), если не указано иное.
Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.
Общая информация
LTH-209-01 объединяет инфракрасный светодиод и кремниевый NPN фототранзистор. Эти компоненты стратегически расположены бок о бок со сходящимися оптическими осями и надежно заключены в прочный черный пластиковый корпус.
Ключевые особенности
- Бесконтактная коммутация
- Подходит для прямой установки на печатную плату или в двухрядную розетку
- Высокая скорость переключения
- Отражательный датчик объекта
Приложения
LTH-209-01 специально разработан для надежного обнаружения объектов.
Дополнительные сведения
Для целей тестирования используется отражающая поверхность из нейтральной белой бумаги Eastman Kodak (или эквивалентной), обеспечивающая 90% рассеянное отражение и расположенная на расстоянии 3,81 мм (0,15 дюйма) от считывающей головки.
Все размеры указаны в миллиметрах (дюймах).
Допуск составляет ±0,25 мм (0,010 дюйма), если не указано иное.
Технические характеристики могут быть изменены без предварительного уведомления.
Метод определения: Отражающий
Расстояние определения: 3.81 мм
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 30 В
Постоянный прямой ток (ИК-диод): 50 мА
Обратное напряжение (ИК-диод): 5 В
Пиковый прямой ток (ИК-диод): 3 A (Длительность импульса = 10 мкс, 300 имп/с)
Ток коллектора транзистора: 20 мА
Рассеиваемая мощность транзистора: 100 мВт (Снижение линейно 1.33 мВт/°C от 25°C)
Рассеиваемая мощность диода: 75 мВт (Снижение линейно 1.33 мВт/°C от 25°C)
Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора: 30 В
Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора: 5 В
Диапазон рабочих температур: -35°C до +65°C
Диапазон температуры хранения: -40°C до +100°C
Температура пайки выводов: 260°C в течение 5 секунд [1.6 мм (.063") от корпуса]
Прямое напряжение (входной светодиод): 1.2 В (мин), 1.6 В (макс) при IF = 20 мА
Обратный ток (входной светодиод): 100 мкА (макс) при VR=5В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 30 В при IC=1мА
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор: 5 В при IE=0.1мА
Темновой ток коллектора: 100 нА (макс)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.4В (макс)
Ток коллектора во включенном состоянии: 160 мкА (мин) при IF=20мА, VCE=5В
Время нарастания: 0.4 мкс
Время спада: 0.4 мкс
Расстояние между выводами: 10.2 мм
Зазор между излучателем и детектором: 3.81 мм
Расстояние определения: 3.81 мм
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер VCEO: 30 В
Постоянный прямой ток (ИК-диод): 50 мА
Обратное напряжение (ИК-диод): 5 В
Пиковый прямой ток (ИК-диод): 3 A (Длительность импульса = 10 мкс, 300 имп/с)
Ток коллектора транзистора: 20 мА
Рассеиваемая мощность транзистора: 100 мВт (Снижение линейно 1.33 мВт/°C от 25°C)
Рассеиваемая мощность диода: 75 мВт (Снижение линейно 1.33 мВт/°C от 25°C)
Напряжение коллектор-эмиттер фототранзистора: 30 В
Напряжение эмиттер-коллектор фототранзистора: 5 В
Диапазон рабочих температур: -35°C до +65°C
Диапазон температуры хранения: -40°C до +100°C
Температура пайки выводов: 260°C в течение 5 секунд [1.6 мм (.063") от корпуса]
Прямое напряжение (входной светодиод): 1.2 В (мин), 1.6 В (макс) при IF = 20 мА
Обратный ток (входной светодиод): 100 мкА (макс) при VR=5В
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер: 30 В при IC=1мА
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор: 5 В при IE=0.1мА
Темновой ток коллектора: 100 нА (макс)
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 0.4В (макс)
Ток коллектора во включенном состоянии: 160 мкА (мин) при IF=20мА, VCE=5В
Время нарастания: 0.4 мкс
Время спада: 0.4 мкс
Расстояние между выводами: 10.2 мм
Зазор между излучателем и детектором: 3.81 мм
LiteOn_LTH_209_01-134337.pdf
Скачать
Скачать
