4N32 оптрон 3.75kV 30V

Изображение товара на сайте может отличаться от фактического изображения товара.

4N32 оптрон 3.75kV 30V

Код товара: 4N32
Pealadu
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 шт.
Peterburi tee Oomipood
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 шт.
Järve keskuse Oomipood
Tallinn, Pärnu mnt. 238
6 шт.
Lõunakeskuse Oomipood
Tartu, Lääneringtee 39
0 шт.
Põhjakeskuse Oomipood
Rakvere, Haljala tee 4
0 шт.
Kaubamajaka Oomipood
Pärnu, Papiniidu 8
0 шт.
4N32 — это высокопроизводительный 6-контактный фотодарлингтоновый оптопара, разработанный для приложений, требующих исключительной изоляции и надежного переключения. Это устройство обеспечивает превосходную производительность и долговечность по сравнению с традиционными релейными решениями.

Общая информация

4N32 оснащен арсенид-галлиевым инфракрасным (GaAs) светодиодным излучателем и кремниевым планарным фотодарлингтоновым датчиком, обеспечивающим надежную работу и отличную изоляцию между входными и выходными цепями.

Основные характеристики

- Высокая чувствительность к низкому входному управляющему току

- Очень высокий коэффициент передачи тока (500% мин)

- Высокое напряжение изоляции (3,75 кВ)

- Высокое сопротивление изоляции (10^11 Ом типичное)

- Соответствует или превосходит зарегистрированные спецификации JEDEC

- Доступен с одобрением VDE 0884 в качестве опции тестирования

- Вход постоянного тока с транзисторным выходом

- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +100°C

- Соответствие RoHS и REACH

- Соответствие требованиям по отсутствию галогенов (опционально)

- Класс MSL 1

Приложения

- Логические схемы с низким энергопотреблением

- Телекоммуникационное оборудование

- Портативная электроника

- Твердотельные реле

- Импульсные источники питания

- Интерфейс компьютерной периферии

- Интерфейс микропроцессорной системы

- Соединительные системы с разными потенциалами и импедансами

4N32 предлагает превосходную альтернативу герконовым и ртутным реле, обеспечивая увеличенный срок службы, высокоскоростное переключение и устранение магнитных полей. Он удобно упакован в стандартный пластиковый корпус DIP.
Расстояние зазора: ≥ 7.5 мм (тип S/SL) или ≥ 8.0 мм (тип M/SLM)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 30 В
Коэффициент передачи тока (CTR): минимум 500%
Расстояние через изоляцию: ≥ 0.4 мм
Внешний путь утечки: ≥ 7.4 мм
Прямой ток (IF): 60 мА
Напряжение изоляции: 5300 Вrms
Рабочая температура: от -55°C до +100°C
Рассеиваемая мощность: 100 мВт
Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1.0 В

Из той же категории