4N32 оптрон 3.75kV 30V
Код товара: 4N32
- 1.00 €
-
- Цена для постоянного клиента 0.95 € -5%
- Залогиньтесь и получите 5% скидку
Pealadu
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 шт.
Peterburi tee Oomipood
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 шт.
Järve keskuse Oomipood
Tallinn, Pärnu mnt. 238
Tallinn, Pärnu mnt. 238
6 шт.
Lõunakeskuse Oomipood
Tartu, Lääneringtee 39
Tartu, Lääneringtee 39
0 шт.
Põhjakeskuse Oomipood
Rakvere, Haljala tee 4
Rakvere, Haljala tee 4
0 шт.
Kaubamajaka Oomipood
Pärnu, Papiniidu 8
Pärnu, Papiniidu 8
0 шт.
4N32 — это высокопроизводительный 6-контактный фотодарлингтоновый оптопара, разработанный для приложений, требующих исключительной изоляции и надежного переключения. Это устройство обеспечивает превосходную производительность и долговечность по сравнению с традиционными релейными решениями.
Общая информация
4N32 оснащен арсенид-галлиевым инфракрасным (GaAs) светодиодным излучателем и кремниевым планарным фотодарлингтоновым датчиком, обеспечивающим надежную работу и отличную изоляцию между входными и выходными цепями.
Основные характеристики
- Высокая чувствительность к низкому входному управляющему току
- Очень высокий коэффициент передачи тока (500% мин)
- Высокое напряжение изоляции (3,75 кВ)
- Высокое сопротивление изоляции (10^11 Ом типичное)
- Соответствует или превосходит зарегистрированные спецификации JEDEC
- Доступен с одобрением VDE 0884 в качестве опции тестирования
- Вход постоянного тока с транзисторным выходом
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +100°C
- Соответствие RoHS и REACH
- Соответствие требованиям по отсутствию галогенов (опционально)
- Класс MSL 1
Приложения
- Логические схемы с низким энергопотреблением
- Телекоммуникационное оборудование
- Портативная электроника
- Твердотельные реле
- Импульсные источники питания
- Интерфейс компьютерной периферии
- Интерфейс микропроцессорной системы
- Соединительные системы с разными потенциалами и импедансами
4N32 предлагает превосходную альтернативу герконовым и ртутным реле, обеспечивая увеличенный срок службы, высокоскоростное переключение и устранение магнитных полей. Он удобно упакован в стандартный пластиковый корпус DIP.
Общая информация
4N32 оснащен арсенид-галлиевым инфракрасным (GaAs) светодиодным излучателем и кремниевым планарным фотодарлингтоновым датчиком, обеспечивающим надежную работу и отличную изоляцию между входными и выходными цепями.
Основные характеристики
- Высокая чувствительность к низкому входному управляющему току
- Очень высокий коэффициент передачи тока (500% мин)
- Высокое напряжение изоляции (3,75 кВ)
- Высокое сопротивление изоляции (10^11 Ом типичное)
- Соответствует или превосходит зарегистрированные спецификации JEDEC
- Доступен с одобрением VDE 0884 в качестве опции тестирования
- Вход постоянного тока с транзисторным выходом
- Диапазон рабочих температур: от -55°C до +100°C
- Соответствие RoHS и REACH
- Соответствие требованиям по отсутствию галогенов (опционально)
- Класс MSL 1
Приложения
- Логические схемы с низким энергопотреблением
- Телекоммуникационное оборудование
- Портативная электроника
- Твердотельные реле
- Импульсные источники питания
- Интерфейс компьютерной периферии
- Интерфейс микропроцессорной системы
- Соединительные системы с разными потенциалами и импедансами
4N32 предлагает превосходную альтернативу герконовым и ртутным реле, обеспечивая увеличенный срок службы, высокоскоростное переключение и устранение магнитных полей. Он удобно упакован в стандартный пластиковый корпус DIP.
Расстояние зазора: ≥ 7.5 мм (тип S/SL) или ≥ 8.0 мм (тип M/SLM)
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 30 В
Коэффициент передачи тока (CTR): минимум 500%
Расстояние через изоляцию: ≥ 0.4 мм
Внешний путь утечки: ≥ 7.4 мм
Прямой ток (IF): 60 мА
Напряжение изоляции: 5300 Вrms
Рабочая температура: от -55°C до +100°C
Рассеиваемая мощность: 100 мВт
Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1.0 В
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO): 30 В
Коэффициент передачи тока (CTR): минимум 500%
Расстояние через изоляцию: ≥ 0.4 мм
Внешний путь утечки: ≥ 7.4 мм
Прямой ток (IF): 60 мА
Напряжение изоляции: 5300 Вrms
Рабочая температура: от -55°C до +100°C
Рассеиваемая мощность: 100 мВт
Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1.0 В
4n32.pdf
Скачать
Скачать