4N33 Uis=7500V Uco=30V Оптрон
Код товара:4N33
Фото может отличаться от товара
4N33 - это высокопроизводительный 6-контактный оптопара с фототранзистором Дарлингтона, идеально подходящий для широкого спектра применений общего назначения. Это устройство обеспечивает надежную электрическую изоляцию и эффективную передачу сигнала между цепями.
Общая информация
4N33 оснащен инфракрасным светодиодом на основе арсенида галлия и кремниевым фототранзистором Дарлингтона.
Основные характеристики
- Высокая чувствительность к низкому входному управляющему току
- Соответствует или превосходит все зарегистрированные спецификации JEDEC
- Высокий коэффициент передачи тока: обеспечивает эффективную передачу сигнала между цепями.
- Высокое сопротивление изоляции: обеспечивает отличную электрическую изоляцию, минимизируя ток утечки.
- Стандартный пластиковый DIP-корпус
Приложения
- Логические схемы с низким энергопотреблением
- Телекоммуникационное оборудование
- Портативная электроника
- Твердотельные реле
- Сопряжение систем связи с разными потенциалами и импедансами
- Импульсные источники питания
- Интерфейс компьютерной периферии
- Интерфейс микропроцессорной системы
4N33 предлагает убедительную альтернативу герконовым и ртутным реле, предоставляя такие преимущества, как увеличенный срок службы, высокоскоростные возможности переключения и устранение магнитных полей. Этот надежный компонент удобно доступен в корпусе DIP-6.
Общая информация
4N33 оснащен инфракрасным светодиодом на основе арсенида галлия и кремниевым фототранзистором Дарлингтона.
Основные характеристики
- Высокая чувствительность к низкому входному управляющему току
- Соответствует или превосходит все зарегистрированные спецификации JEDEC
- Высокий коэффициент передачи тока: обеспечивает эффективную передачу сигнала между цепями.
- Высокое сопротивление изоляции: обеспечивает отличную электрическую изоляцию, минимизируя ток утечки.
- Стандартный пластиковый DIP-корпус
Приложения
- Логические схемы с низким энергопотреблением
- Телекоммуникационное оборудование
- Портативная электроника
- Твердотельные реле
- Сопряжение систем связи с разными потенциалами и импедансами
- Импульсные источники питания
- Интерфейс компьютерной периферии
- Интерфейс микропроцессорной системы
4N33 предлагает убедительную альтернативу герконовым и ртутным реле, предоставляя такие преимущества, как увеличенный срок службы, высокоскоростные возможности переключения и устранение магнитных полей. Этот надежный компонент удобно доступен в корпусе DIP-6.
Входной прямой ток (IF): 60 мА
Пиковое обратное напряжение (VR): 3.0 В
Входное прямое напряжение (VF) при IF=10мА: 1.2 В (тип.), 1.5 В (макс.)
Обратный ток утечки (IR) при VR=3.0В: 0.001 мкА (тип.), 100 мкА (макс.)
Емкость (C) при VF=0В, f=1.0МГц: 150 пФ
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (BVCEO) при IC=100мкА, IB=0: 30 В (мин.), 60 В (тип.)
Напряжение пробоя коллектор-база (BVCBO) при IC=100мкА, IE=0: 30 В (мин.), 100 В (тип.)
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор (BVECO) при IE=100мкА, IB=0: 5.0 В (мин.), 8.0 В (тип.)
Темновой ток коллектора-эмиттера (ICEO) при VCE=10В, база разомкнута: 1 нА (тип.), 100 нА (макс.)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) при VCE=5.0В, IC=500мкА: 5000
Выходной ток коллектора (IC) при IF=10мА, VCE=10В, IB=0: 50 мА (мин.)
Напряжение насыщения (VCE(sat)) при IF=8.0мА, IC=2.0мА: 1.0 В (макс.)
Напряжение изоляции вход-выход (VISO): 5300 Vac(rms), 2500 VDC (4N32), 1500 VDC (4N33)
Сопротивление изоляции (RISO) при VI-O=500VDC: 10^11 Ом
Емкость изоляции (CISO) при VI-O= , f=1 МГц: 0.8 пФ
Время включения (ton) при IF=200мА, IC=50мА, VCC=10В: 5.0 мкс (тип.)
Рабочая температура: -55 до 100 °C
Канал: 1
Высота: 3.81 мм
Длина: 8.7 мм
Путь утечки: 7.4 мм (мин.)
Расстояние через изоляцию: 0.4 мм (мин.)
Расстояние по воздуху: 7.5 мм (мин.) Тип S/SL, 8.0 мм (мин.) Тип M/SLM
Пиковое обратное напряжение (VR): 3.0 В
Входное прямое напряжение (VF) при IF=10мА: 1.2 В (тип.), 1.5 В (макс.)
Обратный ток утечки (IR) при VR=3.0В: 0.001 мкА (тип.), 100 мкА (макс.)
Емкость (C) при VF=0В, f=1.0МГц: 150 пФ
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер (BVCEO) при IC=100мкА, IB=0: 30 В (мин.), 60 В (тип.)
Напряжение пробоя коллектор-база (BVCBO) при IC=100мкА, IE=0: 30 В (мин.), 100 В (тип.)
Напряжение пробоя эмиттер-коллектор (BVECO) при IE=100мкА, IB=0: 5.0 В (мин.), 8.0 В (тип.)
Темновой ток коллектора-эмиттера (ICEO) при VCE=10В, база разомкнута: 1 нА (тип.), 100 нА (макс.)
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE) при VCE=5.0В, IC=500мкА: 5000
Выходной ток коллектора (IC) при IF=10мА, VCE=10В, IB=0: 50 мА (мин.)
Напряжение насыщения (VCE(sat)) при IF=8.0мА, IC=2.0мА: 1.0 В (макс.)
Напряжение изоляции вход-выход (VISO): 5300 Vac(rms), 2500 VDC (4N32), 1500 VDC (4N33)
Сопротивление изоляции (RISO) при VI-O=500VDC: 10^11 Ом
Емкость изоляции (CISO) при VI-O= , f=1 МГц: 0.8 пФ
Время включения (ton) при IF=200мА, IC=50мА, VCC=10В: 5.0 мкс (тип.)
Рабочая температура: -55 до 100 °C
Канал: 1
Высота: 3.81 мм
Длина: 8.7 мм
Путь утечки: 7.4 мм (мин.)
Расстояние через изоляцию: 0.4 мм (мин.)
Расстояние по воздуху: 7.5 мм (мин.) Тип S/SL, 8.0 мм (мин.) Тип M/SLM
