AOB66616L N-канальный МОП-транзистор
Код товара:AOB66616L
Новый
Фото может отличаться от товара
AOB66616L — это N-канальный МОП-транзистор, произведенный Alpha & Omega Semiconductor, использующий технологию AlphaSGTTM Trench Power MOSFET.
Он разработан для обеспечения эффективного переключения мощности.
Основные характеристики
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON))
- Отличный показатель качества (FOM), представляющий собой произведение заряда затвора на RDS(ON))
- Соответствует требованиям RoHS
- Без галогенов
Он разработан для обеспечения эффективного переключения мощности.
Основные характеристики
- Низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(ON))
- Отличный показатель качества (FOM), представляющий собой произведение заряда затвора на RDS(ON))
- Соответствует требованиям RoHS
- Без галогенов
Тип полевого транзистора: N-канал
Заряд затвора (Qg@10V): 60нКл
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)@Id): 2.4В
Ток стока (при VGS=10V, Ta): 38.5А
Ток стока (при VGS=10V, Tc): 140А
Входная емкость (Ciss@30V): 2.87нФ
Рабочая температура: -55℃~+150℃
Корпус: TO-263
Рассеиваемая мощность (Ta): 8.3Вт
Рассеиваемая мощность (Tc): 125Вт
Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) (при VGS=10V): < 3.2мОм
Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) (при VGS=6V): < 4.6мОм
Обратная проходная емкость (Crss@30V): 38пФ
Технология: Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM
Напряжение сток-исток (VDS): 60В
Заряд затвора (Qg@10V): 60нКл
Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)@Id): 2.4В
Ток стока (при VGS=10V, Ta): 38.5А
Ток стока (при VGS=10V, Tc): 140А
Входная емкость (Ciss@30V): 2.87нФ
Рабочая температура: -55℃~+150℃
Корпус: TO-263
Рассеиваемая мощность (Ta): 8.3Вт
Рассеиваемая мощность (Tc): 125Вт
Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) (при VGS=10V): < 3.2мОм
Сопротивление открытого канала (RDS(ON)) (при VGS=6V): < 4.6мОм
Обратная проходная емкость (Crss@30V): 38пФ
Технология: Trench Power MOSFET - AlphaSGTTM
Напряжение сток-исток (VDS): 60В
