Транзистор: N-MOSFET; униполярный; 55В; 43А; Idm: 240А; 110Вт; D
Код товара:IRLR2905ZTRPBF
Новый
Фото может отличаться от товара
Infineon IRLR2905ZTRPBF — это N-канальный силовой МОП-транзистор HEXFET®. Он разработан с использованием передовой технологии обработки для достижения сверхнизкого сопротивления в открытом состоянии.
**Ключевые особенности**
- Высокая максимально допустимая температура перехода: до 175°C
- Высокая скорость переключения
- Улучшенный повторяющийся лавинный режим
- Возможность управления затвором логическим уровнем
- Поставляется в корпусе DPAK (TO-252)
**Применения**
Подходит для широкого спектра силовых применений.
**Ключевые особенности**
- Высокая максимально допустимая температура перехода: до 175°C
- Высокая скорость переключения
- Улучшенный повторяющийся лавинный режим
- Возможность управления затвором логическим уровнем
- Поставляется в корпусе DPAK (TO-252)
**Применения**
Подходит для широкого спектра силовых применений.
Тип транзистора: N-MOSFET
Полярность: N-канал
Vds: 55В
Id при Tc=25°C (ограничено корпусом): 43А
Idm (импульсный ток стока): 240А
Rds(on) при Vgs=10В: 13.5 мОм
Vgs: +/- 16В
Vgs(th) (тип.): 3В
Qg (тип.): 23 нКл
Pd при Tc=25°C: 110Вт
Диапазон рабочих температур (Tj, Tstg): от -55°C до +175°C
Тип корпуса: DPAK (TO-252)
Полярность: N-канал
Vds: 55В
Id при Tc=25°C (ограничено корпусом): 43А
Idm (импульсный ток стока): 240А
Rds(on) при Vgs=10В: 13.5 мОм
Vgs: +/- 16В
Vgs(th) (тип.): 3В
Qg (тип.): 23 нКл
Pd при Tc=25°C: 110Вт
Диапазон рабочих температур (Tj, Tstg): от -55°C до +175°C
Тип корпуса: DPAK (TO-252)
