-
Teie ostukorv on tühi!
Pilt on illustratiivne
Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1,2kV; 30A; 165W; TO
- Tootekood: IHW30N120R5XKSA1
- 11.50 €
-
- Püsikliendile 10.93 € -5%
Logi sisse ja saad vähemalt 5% soodustust
Pealadu
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 tk
Peterburi tee Oomipood
Tallinn, Peterburi tee 90F
Tallinn, Peterburi tee 90F
0 tk
Järve keskuse Oomipood
Tallinn, Pärnu mnt. 238
Tallinn, Pärnu mnt. 238
2 tk
Lõunakeskuse Oomipood
Tartu, Lääneringtee 39
Tartu, Lääneringtee 39
0 tk
Põhjakeskuse Oomipood
Rakvere, Haljala tee 4
Rakvere, Haljala tee 4
0 tk
Kaubamajaka Oomipood
Pärnu, Papiniidu 8
Pärnu, Papiniidu 8
0 tk
Pargi keskuse Oomipood
Jõhvi, Puru tee 1
Jõhvi, Puru tee 1
0 tk
IGBT on lühend sõnadest Insulated Gate Bipolar Transistor.
IGBT tehnoloogial on madalam sisendmahtuvus, väiksem energiakadu ja parem soojushajutus.
Transistori maksimaalne lubatud pingetugevus on 1,2 kilovolti (1,2 kV), maksimaalne lubatud voolutugevus on 30 amprit (30A) ja maksimaalne lubatud võimsus on 165 vatti (165W).
Sellist transistori võib kasutada laialdaselt mitmesugustes elektriseadmetes, nagu näiteks toiteallikad, valgustusseadmed, sagedusmuundurid ja mootorikontrollerid.
Transistori tüüp: IGBT
Tehnoloogia: TRENCHSTOP™ RC
Kollektor-emitteri pinge: 1,2kV
Kollektori vool: 30A
Võimsuse hajumine: 165W
Juhtum: TO247-3
Värava-emitteri pinge: ±20V
Pulsskollektori vool: 90A
Paigaldus: THT
Värava laetus: 235nC
Pakendi liik: toru
Väljalülitusaeg: 363 ns
Pooljuhtide struktuur: üks transistor
Pooljuhtseadmete omadused: pöördjuhtiv IGBT (RC-IGBT)
Brutomass: 6,09 g
| Datasheet | 1.63MB | Lae alla |
