4N36 Uis=1500V Uceo=30V Optron
Tootekood:4N36
Pilt on illustratiivne
4N36 optron pakub erakordset elektrilist isolatsiooni, katkestades tõhusalt ühenduse signaaliallika ja vastuvõtja vahel, et kõrvaldada elektrilised häired. See mitmekülgne, üldotstarbeline optron on suurepärane valik vooluringide kaitsmiseks pingepiikide eest ja vooluringide vahel isolatsiooni loomiseks.
Põhiomadused
- Isolatsioon: tagab kõrgepinge elektrilise isolatsiooni, kaitstes vooluringe kahjulike pingepiikide eest.
- Konstruktsioon: asjatundlikult koostatud galliumarseniidist infrapuna LED-ist ja NPN-räni fototransistorist, et tagada usaldusväärne jõudlus.
- Pakend: saadaval mugavates 6-kontaktilistes DIP- ja SMD-pakettides, et need sobiksid erinevate rakenduste vajadustega.
- Ühilduvus: liidestub sujuvalt tavaliste loogikaperedega, tagades laialdase kasutatavuse.
- Ameti kinnitused: omab mainekaid UL, cUL, DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884)/DIN EN 60747-5-5, BSI: EN 60065, EN 60950-1, FIMKO ja CQC kinnitusi, mis tagavad kvaliteedi ja ohutuse.
Ideaalrakendused
- Vahelduvvooluvõrgu tuvastamine
- Reedrelee juhtimine
- Lülitusrežiimi toiteallika tagasiside
- Telefonihelinate tuvastamine
- Loogika maanduse isolatsioon
- Loogika sidestus kõrgsagedusliku müra summutamisega
- Mikrokontrolleri väljund suure vooluga komponentide juhtimiseks
Kasutusjuhised
4N36 optroni kasutamiseks ühendage IR LED-i anood komponendi (nt IC või mikrokontroller) positiivse väljundiga ja katood negatiivse või maandusega. Voolu piirav takisti on IC/mikrokontrolleri väljundi ja IR LED-i anoodi vahel ülioluline. Kui fototransistor tuvastab IR LED-i valgust, ühenduvad kollektori ja emitteri kontaktid, ühendades kõik, mis on ühendatud kontaktidega 4 ja 5.
Lisahüved
4N36 on suurepärane valik vooluringide kaitsmiseks pingepiikide eest, vooluringide vahel isolatsiooni loomiseks ning vahelduv- või alalisvoolu tuvastamiseks. See sobib eriti hästi kasutamiseks mikrokontrollerite ja madala väljundvooluga IC-de väljundis, võimaldades neil seadmetel tõhusalt juhtida suure vooluga komponente, nagu suure võimsusega transistorid.
Põhiomadused
- Isolatsioon: tagab kõrgepinge elektrilise isolatsiooni, kaitstes vooluringe kahjulike pingepiikide eest.
- Konstruktsioon: asjatundlikult koostatud galliumarseniidist infrapuna LED-ist ja NPN-räni fototransistorist, et tagada usaldusväärne jõudlus.
- Pakend: saadaval mugavates 6-kontaktilistes DIP- ja SMD-pakettides, et need sobiksid erinevate rakenduste vajadustega.
- Ühilduvus: liidestub sujuvalt tavaliste loogikaperedega, tagades laialdase kasutatavuse.
- Ameti kinnitused: omab mainekaid UL, cUL, DIN EN 60747-5-2 (VDE 0884)/DIN EN 60747-5-5, BSI: EN 60065, EN 60950-1, FIMKO ja CQC kinnitusi, mis tagavad kvaliteedi ja ohutuse.
Ideaalrakendused
- Vahelduvvooluvõrgu tuvastamine
- Reedrelee juhtimine
- Lülitusrežiimi toiteallika tagasiside
- Telefonihelinate tuvastamine
- Loogika maanduse isolatsioon
- Loogika sidestus kõrgsagedusliku müra summutamisega
- Mikrokontrolleri väljund suure vooluga komponentide juhtimiseks
Kasutusjuhised
4N36 optroni kasutamiseks ühendage IR LED-i anood komponendi (nt IC või mikrokontroller) positiivse väljundiga ja katood negatiivse või maandusega. Voolu piirav takisti on IC/mikrokontrolleri väljundi ja IR LED-i anoodi vahel ülioluline. Kui fototransistor tuvastab IR LED-i valgust, ühenduvad kollektori ja emitteri kontaktid, ühendades kõik, mis on ühendatud kontaktidega 4 ja 5.
Lisahüved
4N36 on suurepärane valik vooluringide kaitsmiseks pingepiikide eest, vooluringide vahel isolatsiooni loomiseks ning vahelduv- või alalisvoolu tuvastamiseks. See sobib eriti hästi kasutamiseks mikrokontrollerite ja madala väljundvooluga IC-de väljundis, võimaldades neil seadmetel tõhusalt juhtida suure vooluga komponente, nagu suure võimsusega transistorid.
Kanalite arv: 1
Optronlüliti korpuse tüüp: DIP
Viikude arv: 6
Isolatsioonipinge: 5000 Vrms (mõnedel allikatel 5300 Vrms)
Kollektori-emitteri pinge (Vceo): 30V (mõnedel allikatel 80V)
Sisendi dioodi pärivool (pidev): 60 mA
Fototransistori kollektorivool (pidev): 100 mA (mõnedel allikatel 150mA)
Sisend-väljund sidestusmahtuvus: <0.5 pF
Kollektori-baasi pinge: 70 V
Emitteri-baasi pinge: 7 V
Sisendi dioodi vastupinge: 6 V
Infrapuna kiirgava dioodi võimsuse hajumine: 100 mW
Fototransistori võimsuse hajumine: 300 mW
Sisselülitusaeg: 12 µs (mõnedel allikatel tüüpiliselt 7 µs)
Väljalülitusaeg: 12 µs (mõnedel allikatel tüüpiliselt 7 µs)
Voolu ülekandetegur (CTR): 50% kuni 100% @ If=10mA (mõnedel allikatel 100%@10mA)
Optronlüliti korpuse tüüp: DIP
Viikude arv: 6
Isolatsioonipinge: 5000 Vrms (mõnedel allikatel 5300 Vrms)
Kollektori-emitteri pinge (Vceo): 30V (mõnedel allikatel 80V)
Sisendi dioodi pärivool (pidev): 60 mA
Fototransistori kollektorivool (pidev): 100 mA (mõnedel allikatel 150mA)
Sisend-väljund sidestusmahtuvus: <0.5 pF
Kollektori-baasi pinge: 70 V
Emitteri-baasi pinge: 7 V
Sisendi dioodi vastupinge: 6 V
Infrapuna kiirgava dioodi võimsuse hajumine: 100 mW
Fototransistori võimsuse hajumine: 300 mW
Sisselülitusaeg: 12 µs (mõnedel allikatel tüüpiliselt 7 µs)
Väljalülitusaeg: 12 µs (mõnedel allikatel tüüpiliselt 7 µs)
Voolu ülekandetegur (CTR): 50% kuni 100% @ If=10mA (mõnedel allikatel 100%@10mA)
