Tootekood:3889218
Uus
Pilt on illustratiivne
BTS426L1 on nutikas N-kanaliga vertikaalne toite-FET, mis põhineb innovaatilisel Smart SIPMOS tehnoloogial. See kõrge poole toitelüliti on loodud pakkuma täpset diagnostilist tagasisidet ja integreeritud kaitsefunktsioone, olles usaldusväärne asendus mehaanilistele releedele, kaitsmetele ja diskreetsetele lülitusahelatele.
Toode tagab süsteemi ohutuse tänu mitmekülgsetele kaitsefunktsioonidele, sealhulgas ülekoormuskaitse, voolu piiramine ja lühisekaitse. Lisaks on seadmel termiline väljalülitus ja ülepingekaitse (sh load dump kaitse). Lüliti on optimeeritud induktiivsete koormuste kiireks demagneetimiseks ning pakub tugevat kaitset vastupidise polaarsusega akuühenduse, maanduse katkemise ja elektrostaatilise lahenduse (ESD) eest.
See mikrokontrolleriga ühilduv lüliti on mitmekülgne valik, sobides igat tüüpi takistuslike, induktiivsete ja mahtuvuslike koormuste juhtimiseks 12 V ja 24 V DC maandatud süsteemides. Avatud neeluga (open drain) diagnostiline väljund võimaldab rikkeid kiirelt tuvastada, sealhulgas avatud ahela tuvastamist tööolekus. BTS426L1 on keskkonnasõbralik valik, vastates RoHS nõuetele ja omades AEC kvalifikatsiooni kasutamiseks autotööstuses.
Toode tagab süsteemi ohutuse tänu mitmekülgsetele kaitsefunktsioonidele, sealhulgas ülekoormuskaitse, voolu piiramine ja lühisekaitse. Lisaks on seadmel termiline väljalülitus ja ülepingekaitse (sh load dump kaitse). Lüliti on optimeeritud induktiivsete koormuste kiireks demagneetimiseks ning pakub tugevat kaitset vastupidise polaarsusega akuühenduse, maanduse katkemise ja elektrostaatilise lahenduse (ESD) eest.
See mikrokontrolleriga ühilduv lüliti on mitmekülgne valik, sobides igat tüüpi takistuslike, induktiivsete ja mahtuvuslike koormuste juhtimiseks 12 V ja 24 V DC maandatud süsteemides. Avatud neeluga (open drain) diagnostiline väljund võimaldab rikkeid kiirelt tuvastada, sealhulgas avatud ahela tuvastamist tööolekus. BTS426L1 on keskkonnasõbralik valik, vastates RoHS nõuetele ja omades AEC kvalifikatsiooni kasutamiseks autotööstuses.
Ülepingekaitse Vbb(AZ): 43 V
Tööpinge Vbb(on): 5.0 ... 34 V
Takistus sisselülitatud olekus RON: 60 mΩ
Nominaalne koormusvool (ISO) IL(ISO): 7.0 A
Voolu piirang IL(SCr): 16 A
Korpuse tüüp: PG-TO263-5-2
Viik 1 (GND): Loogika maandus
Viik 2 (IN): Sisend, aktiveerib lüliti kõrge loogilise signaaliga
Viik 3 (Vbb): Positiivne toitepinge (ühendatud korpuse jahutuspinnaga)
Viik 4 (ST): Diagnostiline tagasiside, rikke korral madal
Viik 5 (OUT): Väljund koormusele
Maksimaalne toitepinge: 43 V
Toitepinge lühisekaitseks: 34 V
Load dump kaitse (VLoadDump): 60 V
Töötemperatuuri vahemik (Tj): -40 ... +150 °C
Hoiustamistemperatuuri vahemik (Tstg): -55 ... +150 °C
Võimsuskadu (DC, TC ≤ 25 °C): 75 W
Induktiivse koormuse väljalülitusenergia (EAS): 0.74 J
ESD kaitse (Sisendviik): 1.0 kV
ESD kaitse (Muud viigud): 2.0 kV
Sisendpinge (DC): -10 ... +16 V
Termiline takistus kiip-korpus (RthJC): 1.67 K/W
Termiline takistus kiip-keskkond (RthJA): 75 K/W (34 K/W SMD plaadil)
Sisselülitusaeg 90% VOUT-ni: 80 - 400 µs
Väljalülitusaeg 10% VOUT-ni: 80 - 450 µs
Pinge tõusukiirus (10-30% VOUT): 0.1 - 1 V/µs
Pinge languskiirus (70-40% VOUT): 0.1 - 1 V/µs
Alapinge väljalülitus: 3.5 - 5.0 V
Ülepinge väljalülitus: 34 - 43 V
Ootevool (Vbb väljas): 10 - 25 µA
Esialgne lühise tippvoolu piirang (Tj = 25°C): 25 A
Termiline ülekoormuse rakendumistemperatuur: 150 °C
Avatud ahela tuvastuspinge (väljas-olekus): 2 - 4 V
Sisendi sisselülituse lävipinge: 1.7 - 3.5 V
Sisendtakistus: 2.5 - 6 kΩ
Tööpinge Vbb(on): 5.0 ... 34 V
Takistus sisselülitatud olekus RON: 60 mΩ
Nominaalne koormusvool (ISO) IL(ISO): 7.0 A
Voolu piirang IL(SCr): 16 A
Korpuse tüüp: PG-TO263-5-2
Viik 1 (GND): Loogika maandus
Viik 2 (IN): Sisend, aktiveerib lüliti kõrge loogilise signaaliga
Viik 3 (Vbb): Positiivne toitepinge (ühendatud korpuse jahutuspinnaga)
Viik 4 (ST): Diagnostiline tagasiside, rikke korral madal
Viik 5 (OUT): Väljund koormusele
Maksimaalne toitepinge: 43 V
Toitepinge lühisekaitseks: 34 V
Load dump kaitse (VLoadDump): 60 V
Töötemperatuuri vahemik (Tj): -40 ... +150 °C
Hoiustamistemperatuuri vahemik (Tstg): -55 ... +150 °C
Võimsuskadu (DC, TC ≤ 25 °C): 75 W
Induktiivse koormuse väljalülitusenergia (EAS): 0.74 J
ESD kaitse (Sisendviik): 1.0 kV
ESD kaitse (Muud viigud): 2.0 kV
Sisendpinge (DC): -10 ... +16 V
Termiline takistus kiip-korpus (RthJC): 1.67 K/W
Termiline takistus kiip-keskkond (RthJA): 75 K/W (34 K/W SMD plaadil)
Sisselülitusaeg 90% VOUT-ni: 80 - 400 µs
Väljalülitusaeg 10% VOUT-ni: 80 - 450 µs
Pinge tõusukiirus (10-30% VOUT): 0.1 - 1 V/µs
Pinge languskiirus (70-40% VOUT): 0.1 - 1 V/µs
Alapinge väljalülitus: 3.5 - 5.0 V
Ülepinge väljalülitus: 34 - 43 V
Ootevool (Vbb väljas): 10 - 25 µA
Esialgne lühise tippvoolu piirang (Tj = 25°C): 25 A
Termiline ülekoormuse rakendumistemperatuur: 150 °C
Avatud ahela tuvastuspinge (väljas-olekus): 2 - 4 V
Sisendi sisselülituse lävipinge: 1.7 - 3.5 V
Sisendtakistus: 2.5 - 6 kΩ
